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英飛凌PIM模塊FP15R12KT3 FP15R12KE3新到貨

日期:2024-08-19 16:28
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摘要: 英飛凌PIM模塊FP15R12KT3 FP15R12KE3新到貨 工藝:IGBT3 Fast/IGBT3 封裝:EasyPIM 2 特性:PIM模塊(功率集成模塊:三相橋 + 七單元 + 溫度傳感器) 批號:08/09+ 飽和壓降:1.7 V 廠家:英飛凌 IGBT的串并聯(lián) A、 并聯(lián)目的是增大使用的工作電流,但器件要匹配,每塊Vce之差 <0.3V,還要降流使用,對600V的降10%Ic,1200-1400V的降15%Ic,1700V的降20%Ic,這組值指≥200A的模塊,并要取飽和壓降相等或接近的模塊才行。柵控電路要分開,除靜態(tài)均流外,還有動態(tài)均流問題,并使溫度相接近,以免影響電...

英飛凌PIM模塊FP15R12KT3 FP15R12KE3新到貨
工藝:IGBT3 Fast/IGBT3
封裝:EasyPIM 2
特性:PIM模塊(功率集成模塊:三相橋 + 七單元 + 溫度傳感器)
批號:08/09+
飽和壓降:1.7 V
廠家:英飛凌

IGBT的串并聯(lián)
   
    A、 并聯(lián)目的是增大使用的工作電流,但器件要匹配,每塊Vce之差 <0.3V,還要降流使用,對600V的降10%Ic,1200-1400V的降15%Ic,1700V的降20%Ic,這組值指≥200A的模塊,并要取飽和壓降相等或接近的模塊才行。柵控電路要分開,除靜態(tài)均流外,還有動態(tài)均流問題,并使溫度相接近,以免影響電流的均衡分配,因IGBT是負(fù)阻特性的器件。
    B、串聯(lián)的目的是增高使用的工作電壓,其要求比并聯(lián)更高,主要是靜態(tài)均壓及動態(tài)均壓問題,尤其是動態(tài)均壓有一定難度。成都佳靈公司提出的容性母板技術(shù)(1+N)只串聯(lián)動態(tài)電壓箝位均壓方式已處于工業(yè)實驗階段。若動態(tài)均壓不佳,要造成串聯(lián)臂各器件上的Vce電壓不等,造成一個過壓影響同一臂一串電擊穿。
    C、總之IGBT的串并聯(lián)應(yīng)盡量避免,不要以低壓小電流器件,通過串并聯(lián)企圖解決高電壓大電流,這樣做法往往失得其反,而器件增多可靠性更差,電路亦復(fù)雜化等,在不得而已的條件下,要慎重。目今單個IGBT的電壓或電流基本能滿足用戶的需要,隨著時代發(fā)展電路的改進,將會有更高電壓,更大電流的功率器問世,這是必然的。
 

變頻專用功率集成模塊PIM
   
   近5年內(nèi)問世的,變頻器主電路使用的綜合集成功率器件。例德英飛凌公司生產(chǎn)的FP15R12KT3 FP15R12KE31200V系列,4-75A 600V系列,它包含了三相橋 + 七單元 +溫度傳感器。但不包括驅(qū)動電路。有的專業(yè)廠例富士等將整流、制動、IGBT、保護、驅(qū)動、控制全部一體化集成模塊,那樣使用更方便、可靠。其特點是:
   A、集成全部器件及電路;B、體積小,功率大,損耗低,較穩(wěn)定;C、優(yōu)化內(nèi)部布線,減少寄生噪音;D有完全的自保護電路,具有快速、靈敏;E、不足的是當(dāng)其中有一個器件壞時,將造成整體的報損,它不同于分離方式模塊,只局限于損壞的更換就可。

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